一站式科技服务平台
团队简介

宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上,2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙(宽禁带)半导体材料与器件的应用基础研究。实验室是西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科和 “211”工程重点建设学科的重要支撑。从上世纪90年代实验室开始宽禁带半导体科学研究和人才培养,目前已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地,2008年实验室成为我国国防科技创新团队。拥有从宽禁带材料制造设备、材料制造工艺到微波功率器件、高亮度LED器件管芯制造工艺,微波功率模块、微纳米器件可靠性以及VLSI电路设计等若干项自主关键技术,具有明显特色。

团队亮点

实验室重视研究成果与应用的结合,多项研究成果已经用于国家和国防重点工程。高质量的GaN和SiC材料外延片可批量提供企业和研究所使用;微波功率器件已经开始用于国家重点工程;GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术,产生着辐射和带动作用;自主的MOCVD设备和核心技术开始实现产业化;微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用。

团队细分研究方向
GaN和SiC宽禁带半导体微波毫米波器件
GaN和SiC宽禁带半导体微波毫米波器件
GaN半导体光电子器件与半导体照明技术
GaN半导体光电子器件与半导体照明技术
宽禁带半导体材料生长核心设备研究
宽禁带半导体材料生长核心设备研究
宽禁带半导体材料和器件新机理、新结构与新技术
宽禁带半导体材料和器件新机理、新结构与新技术
微纳米半导体器件可靠性与SoC设计
微纳米半导体器件可靠性与SoC设计
团队研究成果汇总

已发表的学术 论文371篇。 【其中SCI论文: 335篇,EI论文36 篇】

已授权的专利:493项。【其中国际专利 1项,国内实用新型专利 246项】

已授权的软件著作权:0 项

已获批的项目:9个【其中国家级项目9 个、省部级项目0个、市区级项目 0个、企业合作项目 0 个】

成果实物图
团队动态
2012-10-01
重点实验室派员赴日本参加IWN-2012会议
2014-08-01
实验室在石墨烯场效应晶体管研究上取得重要进展
2015-10-01
副校长郝跃一行赴中国振华电子集团有限公司调研
2016-01-01
郝跃参加空间院三严三实征求意见座谈及民主生活会;副校长郝跃院士参加图书馆“三严三实”专题研讨会
2016-03-01
副校长郝跃调研指导图书馆“西军电文库”筹备工作

带头人介绍

郝跃

教授

研究方向:宽禁带半导体材料与器件;微纳半导体新器件及其可靠性;SoC设计与设计方法学

郝跃教授,中国科学院院士,西安电子科技大学副校长,微电子学与固体电子学博士生导师。1958年3月生于重庆市,1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业,1991年在西安交通大学计算数学专业获博士学位;长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养,是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。

带头人社会兼职

国际IEEE学会高级会员;中国电子学会常务理事;陕西省科学技术协会副主席;陕西省半导体行业协会理事长;国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项实施专家组组长;总装备部微电子技术专家组组长;国家电子信息科学与工程专业指导委员会副主任委员;教育部科技委委员;第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表

研究团队

张玉明

教授  固定成员

研究方向:高温、高频、大功率宽禁带半导体器件和材料(SiC);半导体器件模拟及制造技术;半导体器件抗辐照加固技术;石墨烯生长及器件研究;射频集成电路设计;自旋电子学

张玉明教授目前正在进行碳化硅材料和器件方面的研究。承担国家自然科学基金项目,国家重大基础研究973项目、国家科技重大专项等国家重大项目,取得了许多创新性的成果,制备出国内第一只碳化硅MPS二极管和国内第一只碳化硅MOSFET器件,为我国这些器件的研发做出了重要贡献。发表论文210余篇,其中已有150余篇被三大索引检索,已获授权发明专利21项,美国专利1项。获省部级科技进步奖四项,厅校级一等奖三项,二等奖两项,国家教学成果奖一项、省级一项。2001年获陕西省优秀留学回国人员称号,获第四届“陕西青年科技奖”等。

张进成

教授  固定成员

研究方向:宽禁带半导体功率器件与电路设计

张进成,男,1976年生,陕西省人。现任西安电子科技大学微电子学院教授,博士生导师,宽带隙半导体技术国家级重点实验室副主任,陕西省大功率半导体照明工程技术研究中心副主任,2009年国家技术发明二等奖获得者(排名第二),IEEE会员,中国电子学会空间电子学分会第六届委员。先后入选2010年陕西省“新世纪三五人才”计划,被授予陕西省青年科技新星(2010年)、教育部新世纪优秀人才(2007年)、陕西省高等学校优秀青年教师(2005年)、校十佳青年教师(2005年)等荣誉称号。

马佩军

副教授  固定成员

研究方向:集成电路可制造性设计理论与方法;VLSI设计方法学

1994和1997年分别获得西安电子科技大学本科与硕士学位,于2001年3月获得西安电子科技大学“微电子学与固体电子学”学科工学博士学位,同年留校任教至今。在微电子学院先后承担过近10门本科、工程硕士、工学硕士课程教学,2006年曾赴欧洲微电子中心(IMEC)进修,并获得2005~2006年度西安电子科技大学优秀教师称号。近年来先后参与国家科技攻关、预先研究、863科技计划等科研项目,并主持自然科学基金“超深亚微米铜互连可靠性研究”等研究计划,发表学术论文数十篇。

张义门

教授  固定成员

研究方向:半导体器件模型和仿真;宽禁带半导体器件与电路,量子阱器件

1964年7月毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业并留校任教,1982~1984和1994~1995年分别在美国亚利桑那州立大学和耶鲁大学作访问学者和高级访问学者。享受国家政府津贴,曾经担任西安电子科技大学技术物理系副主任和微电子研究所所长,一直从事微电子专业的研究工作以及本科生和研究生的教学工作,是微电子学与固体电子学的学科带头人,主持过多项国家重点科学研究项目并获得省部级一等奖一项,二等奖一项和三等奖四项,出版著作四部,在国内外知名学术刊物和学术会议上发表论文390余篇,300余篇论文被三大索引收录。

刘红侠

教授  固定成员

研究方向:纳米器件物理与可靠性研究;宽禁带半导体材料与新结构器件 ;超大规模集成电路设计与优化;高速半导体器件与集成电路;纳米集成电路的制造技术;

刘红侠, 1968年12月生,博士,教授,微电子学与固体电子学博士生导师,国际IEEE会员。1990年获西北大学半导体物理学士学位,1995年获西安交通大学半导体器件物理专业硕士学位,2002年获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。2002年在西安电子科技大学信息与通信工程专业从事博士后研究。2000年破格评审副教授,2002年破格评审教授,2003年晋升博士生导师。先后多次出访欧美进行学术与合作交流,2003年为英国曼彻斯特大学访问教授,和国际著名微电子学专家Prof. A.R.Peaker合作研究纳米器件可靠性。

马晓华

教授  固定成员

研究方向:半导体器件及其可靠性;宽禁带半导体材料;器件及固态微波集成电路设计

马晓华,西安电子科技大学教授,博士生导师。1996年毕业于西安电子科技大学微电子专业,2007年在西安电子科技大学获得微电子与固体电子学博士学位;2011年破格晋升为教授、博士生导师。2012年获西安电子科技大学优秀教师称号,2012年入选“教育部新世纪优秀人才”计划,2012年获陕西省“三秦人才”津贴。

荣誉/奖项

2014
陕西省科学技术奖一等奖
2011
陕西省科学技术奖一等奖
2009
国防科学技术奖一等奖;国家技术发明奖二等奖
2008
国防科学技术奖二等奖;国家科技进步奖二等奖
2007
中国高等学校科学技术奖二等奖;陕西省科学技术奖二等奖;中国高等学校科学技术奖一等奖

主办期刊

教学情况

研究教程
《半导体集成电路》;《射频集成电路设计》;《化合物半导体材料和器件》;《半导体器件模型和模拟》;《模拟电子技术基础》;《高频电子线路》;《集成电路工艺基础》
教学荣誉
张进成—陕西省高等学校优秀青年教师(2005年)、校十佳青年教师(2005年);

实验室概况

HP4156B半导体参数分析仪

性能参数:提供4个内置的高分辨率的源/监控单元(HPSMUs),两个电压源单元(VSUs)和两个电压监控单元(VMUs) · 1 fA 和0.2 uV的测试精度可满足开发新工技术和评价材料 · 全Kelvin,每个HRSMU有激励源、感应和接地端 · 完成准静态的电容对电压测试

操作人员: 分析人员:

收费标准: 0.0 元/次

联系人员:某某

E8363B矢量网络分析仪

性能参数:* 104 dB的动态范围,<0.006 dB的迹线噪声 * <26微秒/点的测量速度,32个通道,16,001点 * 最精确的晶片上、夹具内、波导和天线测量的TRM/LRM校准 * 混频器转换损耗、回波损耗、隔离和绝对群延迟 * 放大器增益压缩、谐波、IMD和脉冲射频

操作人员: 分析人员:

收费标准: 0.0 元/次

联系人员:某某

Tek 371B晶体管图示仪

性能参数:1.二极管 Diode 2..稳压(齐纳)二极管 Zener 3.晶体管 Transistor(NPN型/PNP型) 4.可控硅整流器(普通晶闸管) SCR 5.双向可控硅(双向晶闸管) TRIAC 6.MOS场效应管 Power MOSFET(N-沟/P-沟)

操作人员: 分析人员:

收费标准: 0.0 元/次

联系人员:某某

晶体管老化系统

性能参数:散热系统:制冷机+循环冷水+圆形散热铜板;制冷机:1台;主机:2台(1台制冷机带2台主机);散热平台:4个;电源:8台(VCE:4台,VBE:4台);电网要求:主机:单相AC220V,4KW; 制冷机:三相AC380V,4KW

操作人员: 分析人员:

收费标准: 0.0 元/次

联系人员:某某

原子力显微镜(AFM)

性能参数:■以20Hz扫描速度进行TappingMode成像得到的图片的分辨率和以1Hz扫描速度得到的图片的分辨率一样高,即使使用更高的扫描速度>100Hz,图像分辨率同样不会降低。

操作人员: 分析人员:

收费标准: 0.0 元/次

联系人员:某某

科技服务

文献检索与分析 专利检索与分析 样品测试与分析 实验设计与操作 产学研联合开发 标准研制与咨询 共建研究中心 研究资源对接 企业资源对接 承办专业研讨会

合作需求

跨领域研究合作 中试/产业化合作 其他合作需求
在线咨询