专利简介
本发明提供了一种宽光谱吸收的量子点敏化的宽带半导体光阳极及其制备方法，在宽带半导体膜电极表面包覆有多种窄带半导体量子点，半导体量子点自宽带半导体表面起由里至外依次叠加，量子点导带位置比宽带半导体高且由里至外依次升高，量子点的禁带宽度在0.9eV～2.6eV且由里至外依次减小，且至少有一种量子点的禁带宽度在1.2eV以下。本发明量子点在宽带半导体光阳极表面覆盖率高，量子点分布均匀，表面缺陷态少，不仅可实现宽光谱的强吸收，而且可有效实现电子-空穴的分离和光电子向宽带半导体的转移和注入，对于有效提高太阳电池光电
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