专利简介
本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层?（105）。源漏应变源（106）的晶格常数比源漏极区（101）大，形成对沟道区的应变，该应变在yz平面内为双轴张应变，在x方向为单轴压应变。这种应变有利于GeSn沟道Γ点下移，使间接带隙结构利于转化为直接带隙结构，Γ点参与导电的电子数目大大增加，从而提高MOSFET性能。
交易安全保障
1、买家交易款项将暂保管于猪八戒网担保账户，猪八戒网全程资金代管，保障买卖双方资金安全。
2、选择委托经纪人服务，均由交易经纪人验证交易品和买卖双方身份信息真实有效性。
3、猪八戒网专属律师事务所将对委托交易全程监督，确保所有交易合同及相关文件合法有效。
4、选择委托经纪人服务，并由猪八戒网向卖家代付定金；待国家知识产权局下发手续合格通知书、并经猪八戒网核实后，支付卖家尾款。
5、选择委托经纪人服务，将由交易经纪人代办国家手续，客户随时可查进度。
