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准一维半导体纳米结构

专利(申请号):

专利类型:

技术成熟度:研发阶段

所在地:江苏苏州

最近更新:2018-04-10

行业:新型材料-纳米及超细材料

交易方式:完全转让

价格:面议

项目简介

半导体准一维纳米结构是构造纳米电子、光电子器件的基本单元,是新世纪以来国际上微电子、材料、化学等学科交叉的研究热点,并在能源、生物等领域有重大应用前景。本项目在国家杰出青年基金、国家自然科学基金等项目的支持下,在国际上率先制备出纳米硅管、硒管等新型半导体准一维纳米结构,主要原创性成果如下: (1)硅是非层状结构材料,其纳米管的制备是国际上的难题,一直没有解决。本项目采用模板辅助化学气相沉积法,在国际上首先制备出纳米硅管,开创了纳米硅管的研究(Adv. Mater. 2002,他引61次)。并实现了高质量纳米硅线及其阵列的可控制备,完善了其基于量子效应的拉曼光谱理论。 (2)创造性地运用水热和声化学相结合的技术,在国际上首次合成出纳米硒管,并实现了可控制备,提出了超声波诱导球破裂成管机理,带动了声化学法合成纳米管的研究。 (3)四元氧化物半导体准一维纳米结构的制备国际上一直没有突破,本项目运用模板和溶胶凝胶相结合的技术,在国际上首次合成了La0.8Ca0.2MnO3阵列化纳米线,成为制备四元氧化物准一维纳米结构的先驱性工作。 (4)提出了无毒和低成本的巯基乙酸辅助水热法合成CdS准一维纳米结构的新原理,并利用该普适方法制备了一系列硫化物半导体(Bi2S3、SnS2、PbS等)准一维纳米结构,推动了硫化物准一维纳米结构的研究。 成果还包括了其它多种半导体准一维纳米结构的制备、表征和性能研究,在Adv. Mater.、JPCB、APL等国际重要学术刊物上发表SCI论文85篇,其中影响因子大于3的有31篇;申请国家发明专利13项,已获授权10项;参著国外英文专著1本;在10多个国际学术会议上报告15次,其中邀请报告3次。 成果引起国际同行广泛关注,被SCI论文引用820多次,其中他引591次,最高单篇他引75次,纳米硅管引用是国际该领域的Top 1%。论文被第三世界科学院院长Rao教授等著名学者在Progress in Solid State Chemistry、Adv. Mater.、JACS等杂志中高度评价和引用。 本成果获浙江省2008年科学技术一等奖。

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