本发明公开了一种高亮度发光晶体管，包括衬底(1)、形成于衬底(1)上的缓冲层(2)、形成于缓冲层(2)上的n型布拉格反射层(3)、形成于n型布拉格反射层(3)上的n 型电子发射层(4)、与n 型电子发射层(4)欧姆接触的发射电极(5)、形成于n 型电子发射层(4)上的n-型基区层(6)、与n-型基区层(6)欧姆接触的电极(7)、形成于n-型基区层(6)上的多量子阱有源发光层(8)、形成于多量子阱有源发光层(8)上的p型掺杂的集电极层(9)以及与p型掺杂的集电极层(9)欧姆接触的电极(10)。具有上述结构的发光晶体管的发光功率大于3mW。

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